La tecnología de semiconductores que aspira a suceder a los transistores FinFET que podemos encontrar en la mayor parte de los chips de alta integración actuales ya asoma por el horizonte. Durante los últimos meses Intel ha ido desvelando paulatinamente las innovaciones en las que está trabajando para desarrollar su tecnología de integración con un propósito ambicioso: conseguir que la ley de Moore siga vigente más allá de 2025.

No obstante, este no es el único fabricante de semiconductores de alta integración que persigue este objetivo. Como os adelantamos brevemente hace dos días, IBM y Samsung han desvelado que están trabajando juntas para poner a punto un nuevo tipo de transistores diseñados para derribar las limitaciones que impone la tecnología FinFET actual.

Sus primeros prototipos ya están listos, y prometen. Prometen mucho. Nada menos que duplicar el rendimiento y reducir en hasta un 85% el consumo de la tecnología más avanzada disponible actualmente. Curiosamente, para hacer posibles estas mejoras los ingenieros de estas compañías han reimaginado la estructura que tienen los transistores incorporados en los circuitos integrados. Y lo han hecho de una forma muy ingeniosa.

La búsqueda de más espacio en los chips está ligada a los transistores verticales

El esfuerzo en el ámbito de la innovación que durante los últimos años han hecho empresas como ASML, TSMC, Intel, Samsung o GlobalFoundries, entre otros productores de semiconductores, ha estado encaminado a refinar sus procesos fotolitográficos para introducir más transistores en el mismo espacio. Dicho así puede no parecer gran cosa, pero, en realidad, los desafíos que es necesario superar para empaquetar cada vez más transistores en el interior de un chip son muy numerosos.

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